SI3460DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI3460DDV-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.42 |
10+ | $0.358 |
100+ | $0.2671 |
500+ | $0.2099 |
1000+ | $0.1622 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 666 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 8 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.9A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI3460 |
SI3460DDV-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI3460DDV-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
IR 163
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
VISHAY SOT23-6
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Son TSOP-6
Si3460DDV Vishay
VISHAY SOT23
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
SI3460DV-T1 VISHAY
SI3460DV VISHAY
BOARD EVAL POE FOR SI3460
VISHAY TSOP-6
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
VISHAY SOT23-6
2024/05/23
2024/04/10
2024/08/25
2024/04/10
SI3460DDV-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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